Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
1200 V
Ток - Средний выпрямленный (Io)
3.6A
Ток - Обратная утечка при Vr
5 µA @ 1200 V
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Корпус
DO-221AC, SMA Flat Leads
Поставщик Устройство Корпус
DO-221AC (SlimSMA)
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.55 V @ 2 A
Емкость при Vr, Ф
11pF @ 800V, 1MHz