Ток - Средний выпрямленный (Io)
3A
Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Поставщик Устройство Корпус
TO-220-2
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
650 V
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.65 V @ 3 A
Ток - Обратная утечка при Vr
30 µA @ 650 V
Емкость при Vr, Ф
158pF @ 1V, 1MHz