Метод зондирования
Through-Beam
Рабочая температура
-25°C ~ 85°C
Конфигурация выхода
Phototransistor
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
30 V
Ток - постоянный прямой (If) (макс.)
20 mA
Корпус
Module, PC Pins, Slot Type
Дистанция сенсорного обнаружения
0.591" (15mm)