S4D30120A
Номер детали:
S4D30120A
Категория:
-
Производитель:
Описание:
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDES
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$5.87
$5.87
10+
$3.91
$39.1
100+
$2.8
$280
500+
$2.32
$1160
1000+
$2.2
$2200
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-220-2
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AC
Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
1200 V
Ток - Обратная утечка при Vr
20 µA @ 1200 V
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.8 V @ 30 A
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Ток - Средний выпрямленный (Io)
94A
Емкость при Vr, Ф
2581pF @ 0V, 1MHz
Новейшие продукты
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканируйте QR-код