Рабочая температура - переход
-55°C ~ 175°C
Ток - Средний выпрямленный (Io)
20A
Технология
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0 ns
Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.)
650 V
Ток - Обратная утечка при Vr
200 µA @ 650 V
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If
1.45 V @ 20 A
Поставщик Устройство Корпус
DO-247 LL
Емкость при Vr, Ф
1260pF @ 0V, 1MHz