ASZM040120T
零件编号：
ASZM040120T
产品分类：
-
描述：
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
13
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$11.48
$11.48
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
最大功耗
340W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
68A (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-4
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
最大栅源电压
+25V, -10V
供应商器件封装
TO-247-4
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
18V, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.6V @ 9.5mA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
32mOhm @ 40A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
87 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2820 pF @ 1000 V
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