IPM018N10NM5LF2AUMA1
零件编号：
IPM018N10NM5LF2AUMA1
产品分类：
-
描述：
IPM018N10NM5LF2AUMA1
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
数量：
2990
RoHS 状态：
支持
PDF：
库存
起订量：1
数量
价格
总价
1+
$8.99
$8.99
10+
$6.11
$61.1
100+
$4.74
$474
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V, 15V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
178 nC @ 10 V
供应商器件封装
PG-HSOG-4-1
封装 / 外壳
4-PowerSFN
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.7mOhm @ 100A, 15V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.45V @ 240µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
14000 pF @ 50 V
最大功耗
3.8W (Ta), 349W (Tc)
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