CPV363M4K
رقم الجزء
CPV363M4K
تصنيف المنتجات
وحدات IGBT
الصانع
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
وصف
IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
تغليف
Bulk
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
نوع IGBT
-
الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
600 V
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
المدخلات
Standard
مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC)
No
تكوين
Three Phase Inverter
تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى)
250 µA
الحزمة / العلبة
19-SIP (13 Leads), IMS-2
المورد الجهاز الحزمة
IMS-2
تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
11 A
الطاقة - الحد الأقصى
36 W
Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 11A
السعة المدخلة (Cies) عند Vce
740 pF @ 30 V
أحدث المنتجات
Infineon Technologies
IGBT MOD 600V 90A 298W INT-A-PAK
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2
IXYS
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IGBT MODULE 600V 5.7A 23W IMS-2
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IGBT MODULE 600V 16A 36W IMS-2
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IGBT MODULE 600V 27A 63W IMS-2