IV1D12010O2
رقم الجزء
IV1D12010O2
تصنيف المنتجات
الثنائيات المفردة
الصانع
Inventchip
وصف
DIODE SIL CARB 1200V 28A TO220
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1790
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$3.49
$3.49
50
$1.74
$87
100
$1.57
$157
500
$1.27
$635
1000
$1.18
$1180
2000
$1.1
$2200
5000
$1.09
$5450
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
الحزمة / العلبة
TO-220-2
درجة حرارة التشغيل - الوصلة
-55°C ~ 175°C
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)
1200 V
التيار - تسرب عكسي @ Vr
50 µA @ 1200 V
المورد الجهاز الحزمة
TO-220-2
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)
0 ns
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If
1.8 V @ 10 A
التيار - المعدل المتوسط (Io)
28A
السعة @ Vr, F
575pF @ 1V, 1MHz
أحدث المنتجات
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال