IV1D12020T2
رقم الجزء
IV1D12020T2
تصنيف المنتجات
الثنائيات المفردة
الصانع
Inventchip
وصف
DIODE SIL CARB 1200V 54A TO2472
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1668
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$4.83
$4.83
30
$2.68
$80.4
120
$2.2
$264
510
$1.85
$943.5
1020
$1.72
$1754.4
2010
$1.69
$3396.9
نوع التثبيت
Through Hole
حالة القطعة
Active
درجة حرارة التشغيل - الوصلة
-55°C ~ 175°C
الجهد - العكسي للتيار المستمر (Vr) (الأعلى)
1200 V
الحزمة / العلبة
TO-247-2
المورد الجهاز الحزمة
TO-247-2
تكنولوجيا
SiC (Silicon Carbide) Schottky
السرعة
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr)
0 ns
التيار - تسرب عكسي @ Vr
120 µA @ 1200 V
الجهد الأمامي (Vf) (الحد الأقصى) @ If
1.8 V @ 20 A
التيار - المعدل المتوسط (Io)
54A
السعة @ Vr, F
1114pF @ 1V, 1MHz
أحدث المنتجات
Diodes Incorporated
DIODE STANDARD 50V 1A DO41
Diodes Incorporated
DIODE STANDARD 100V 1A DO41
Diodes Incorporated
DIODE STANDARD 200V 1A DO41
Diodes Incorporated
DIODE STANDARD 400V 1A DO41
Diodes Incorporated
DIODE STANDARD 600V 1A DO41
Diodes Incorporated
DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Diodes Incorporated
DIODE STANDARD 1000V 1A DO41
Diodes Incorporated
DIODE STANDARD 75V 150MA DO35