NDM3000
رقم الجزء
NDM3000
تصنيف المنتجات
FET، صفائف MOSFET
الصانع
onsemi
وصف
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A 16SOIC
تغليف
Tape & Reel (TR)
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Surface Mount
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
المورد الجهاز الحزمة
16-SOIC
الحزمة / العلبة
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
3V @ 250µA
ميزة FET
Logic Level Gate
تكوين
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30V
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
3A
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
375pF @ 10V, 360pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.4W
أحدث المنتجات
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Diodes Incorporated
onsemi
onsemi
onsemi
onsemi
onsemi
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال