FBG04N08AC
Número de pieza
FBG04N08AC
Clasificación del producto
FET de RF, MOSFET
Fabricante
EPC Space, LLC
Descripción
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
1736
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$275.88
$275.88
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Grado
-
Calificación
-
Corriente nominal (amperios)
-
Frecuencia
-
Proveedor Dispositivo Paquete
4-SMD
Ganancia
-
Paquete / Carcasa
4-SMD, No Lead
Voltaje - Clasificado
40 V
Potencia - Salida
-
Cifra de Ruido
-
Configuración
N-Channel
Tecnología
GaN HEMT
Voltaje - Prueba
20 V
Corriente - Prueba
8 A
Los últimos productos
CEL
RF MOSFET 5V SOT143
CEL
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SOT343
CEL
RF MOSFET 5V SOT143
Infineon Technologies
RF MOSFET 8V SOT143
onsemi
RF MOSFET JFET 25V TO92
onsemi
MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23
onsemi
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
onsemi
RF MOSFET JFET 10V TO92