GP2D050A120B
Número de pieza
GP2D050A120B
Clasificación del producto
Diodos individuales
Fabricante
SemiQ
Descripción
DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2472
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Discontinued at
Temperatura de Operación - Unión
-55°C ~ 175°C
Voltaje - Inversa de Corriente Continua (Vr) (Máx.)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-2
Corriente - Fuga Inversa @ Vr
100 µA @ 1200 V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
50A
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-2
Tecnología
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de Recuperación Inversa (trr)
0 ns
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ If
1.8 V @ 50 A
Capacitancia @ Vr, F
3174pF @ 1V, 1MHz
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