QSD12HCS65U
Número de pieza
QSD12HCS65U
Clasificación del producto
Diodos individuales
Fabricante
Quest Semi
Descripción
SiC Homogeneous Schottky Barrier
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
6520
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 50
Cantidad
Precio
Precio total
50
$4.39
$219.5
100
$4.18
$418
500
$3.85
$1925
1000
$3.58
$3580
2000
$3.3
$6600
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Temperatura de Operación - Unión
-55°C ~ 175°C
Tecnología
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de Recuperación Inversa (trr)
0 ns
Voltaje - Inversa de Corriente Continua (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Fuga Inversa @ Vr
30 µA @ 650 V
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ If
1.6 V @ 12 A
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3L
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