Estado de la Pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
181 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN, 5 Leads
Tipo de Montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Disipación de Potencia (Máx.)
3.9W (Ta), 200W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
52A (Ta), 370A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
12168 pF @ 25 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
0.67mOhm @ 50A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)