AC3M0015065K
Numéro de pièce
AC3M0015065K
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
APSEMI
Description
SIC MOSFET N-CH 650V 122A TO247-
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1900
Statut RoHS
NO
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En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$21.88
$21.88
11
$20.42
$224.62
51
$18.23
$929.73
101
$13.13
$1326.13
501
$10.94
$5480.94
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Grade
-
Qualification
-
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Boîtier
TO-247-4
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-4
Vgs (Max)
+19V, -8V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
122A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
420W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 55.8A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 15.5mA
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