FL06100G
Numéro de pièce
FL06100G
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
fastSiC
Description
SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1900
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$8.99
$8.99
10
$3.29
$32.9
100
$3.07
$307
3000
$2.99
$8970
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Dissipation de puissance (Max)
83W (Tc)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Boîtier
4-PowerTSFN
Vgs (Max)
15V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 12 V
Fournisseur Dispositif Emballage
4-PDFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 14mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1129 pF @ 400 V
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