FL06250A
Numéro de pièce
FL06250A
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
fastSiC
Description
SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
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Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
15V
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
15V
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
10.7A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
46.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 6mA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
436 pF @ 400 V
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