GP2D010A120C
Numéro de pièce
GP2D010A120C
Classification des produits
Diodes simples
Fabricant
SemiQ
Description
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO252
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Statut de la pièce
Discontinued at
Type de montage
Surface Mount
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Courant - Moyenne redressée (Io)
10A
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
1200 V
Courant - Fuite inverse @ Vr
20 µA @ 1200 V
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-252 (DPAK)
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 10 A
电容 @ Vr, F
635pF @ 1V, 1MHz
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