ICE20N60FP
Numéro de pièce
ICE20N60FP
Classification des produits
FET simples, MOSFET
Fabricant
IceMOS Technology
Description
Superjunction MOSFET
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Type de FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
10V
Vgs (Max)
±20V
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension Drain-Source (Vdss)
600 V
Boîtier
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Dissipation de puissance (Max)
35W (Tc)
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2064 pF @ 25 V
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