IGN1011L70
Numéro de pièce
IGN1011L70
Classification des produits
FET RF, MOSFET
Fabricant
Integra Technologies Inc.
Description
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
Encapsulation
Bulk
Emballage
Quantité
1611
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$282.62
$282.62
15
$237.87
$3568.05
30
$230.92
$6927.6
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Courant nominal (A)
-
Figure de Bruit
-
Gain
22dB
Tension - Test
50 V
Fréquence
1.03GHz ~ 1.09GHz
Puissance - Sortie
80W
Tension nominale
120 V
Technologie
GaN HEMT
Courant - Test
22 mA
Boîtier
PL32A2
Fournisseur Dispositif Emballage
PL32A2
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