IV1D12010T2
Numéro de pièce
IV1D12010T2
Classification des produits
Diodes simples
Fabricant
Inventchip
Description
DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
1695
Statut RoHS
NO
PDF：
En stock
base.lang_mini : 1
Quantité
Prix
Prix total
1
$3.87
$3.87
30
$2.11
$63.3
120
$1.72
$206.4
510
$1.43
$729.3
1020
$1.33
$1356.6
2010
$1.25
$2512.5
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
1200 V
Boîtier
TO-247-2
Courant - Moyenne redressée (Io)
30A
Courant - Fuite inverse @ Vr
50 µA @ 1200 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-2
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 10 A
电容 @ Vr, F
575pF @ 1V, 1MHz
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