MII100-12A3

Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT

MII100-12A3

Numéro de pièce

MII100-12A3

Classification des produits

Modules IGBT

Fabricant

IXYS

Description

IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5

Encapsulation

Bulk

Emballage

Quantité

1600

Statut RoHS

Partagez

PDF：

Demande de prix

En stock

base.lang_mini : 0

Quantité

Prix

Prix total

Paramètres du produit

Statut de la pièce

Obsolete

Type de montage

Chassis Mount

Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)

1200 V

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Configuration

Half Bridge

输入

Standard

Thermistance NTC

Type d'IGBT

NPT

Courant - Collecteur (Ic) (Max)

135 A

Puissance - Max

560 W

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 75A

Courant de collecteur de coupure (Max)

5 mA

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

5.5 nF @ 25 V

Boîtier

Y4-M5

Fournisseur Dispositif Emballage

Y4-M5

Les derniers produits

Infineon Technologies

IRGTI090U06

IGBT MOD 600V 90A 298W INT-A-PAK