NC1D120C10ATNG
Référence :
NC1D120C10ATNG
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220L
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
500
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 300
Qté
Prix
Total
300+
$2.52
$756
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Boîtier
TO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Courant - Moyenne redressée (Io)
10A
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
1200 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220-2L
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.6 V @ 10 A
Courant - Fuite inverse @ Vr
35 µA @ 1200 V
电容 @ Vr, F
670pF @ 0.1V, 1MHz
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