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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors RF bipolaires
NE85633-T1B
Numéro de pièce
NE85633-T1B
Classification des produits
Transistors RF bipolaires
Fabricant
CEL
Description
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Encapsulation
Tape & Reel (TR)
Emballage
Quantité
1600
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 0
Quantité
Prix
Prix total
Paramètres du produit
Statut de la pièce
Obsolete
Type de montage
Surface Mount
Type de transistor
NPN
Boîtier
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fournisseur Dispositif Emballage
SOT-23-3
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
12V
Puissance - Max
200mW
Fréquence - Transition
7GHz
Figure de Bruit (dB Typ @ f)
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Gain
9dB
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 20mA, 10V
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