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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
QSD10HCS120U
Numéro de pièce
QSD10HCS120U
Classification des produits
Diodes simples
Fabricant
Quest Semi
Description
1200v 10amp SiC Schottky Barrier
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
6535
Statut RoHS
NO
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PDF：
Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 50
Quantité
Prix
Prix total
50
$2.15
$107.5
100
$2.04
$204
500
$1.82
$910
1000
$1.71
$1710
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Courant - Moyenne redressée (Io)
10A
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
1200 V
Courant - Fuite inverse @ Vr
250 µA @ 1200 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220-2
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.8 V @ 10 A
电容 @ Vr, F
770pF @ 0V, 1MHz
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