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Accueil Centre de produits Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
QSD6HCS65U
Numéro de pièce
QSD6HCS65U
Classification des produits
Diodes simples
Fabricant
Quest Semi
Description
SiC 6AMP 650V Schottky Barrier D
Encapsulation
Tube
Emballage
Quantité
4600
Statut RoHS
NO
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Demande de prix
En stock
base.lang_mini : 100
Quantité
Prix
Prix total
100
$1.05
$105
500
$0.94
$470
1000
$0.83
$830
Paramètres du produit
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Boîtier
TO-247-2
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247-2
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.6 V @ 6 A
Courant - Moyenne redressée (Io)
21A
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
650 V
Courant - Fuite inverse @ Vr
15 µA @ 650 V
电容 @ Vr, F
421pF @ 0V, 1MHz
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