SDS065J008N3-ISATH
Référence :
SDS065J008N3-ISATH
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220N2L
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
200
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$4.16
$4.16
50+
$2.08
$104
100+
$1.88
$188
500+
$1.53
$765
1000+
$1.23
$1230
2000+
$1.22
$2440
5000+
$1.2
$6000
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Boîtier
TO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.5 V @ 8 A
Courant - Moyenne redressée (Io)
20A
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
650 V
电容 @ Vr, F
395pF @ 0V, 1MHz
Courant - Fuite inverse @ Vr
24 µA @ 650 V
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220N-2L
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