MIUZ100R12GJTL-BP
MIUZ100R12GJTL-BP
MIUZ100R12GJTL-BP
Référence :
MIUZ100R12GJTL-BP
Catégorie :
-
Description :
IGBT MODULES,GJ
Boîtier :
Conditionnement :
Bulk
Quantité :
25
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$38.6
$38.6
25+
$25.94
$648.5
100+
$25.29
$2529
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Chassis Mount
Fournisseur Dispositif Emballage
-
Configuration
Single
Boîtier
Module
Type d'IGBT
-
Tension de claquage collecteur-émetteur (Max)
1200 V
Courant de collecteur de coupure (Max)
1 mA
输入
Standard
Thermistance NTC
No
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100 A
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.25V @ 15V, 100A
Puissance - Max
535 W
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
5800 pF @ 25 V
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