TW027U65C,RQ
Référence :
TW027U65C,RQ
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
Boîtier :
Conditionnement :
Cut Tape (CT)
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$43.77
$43.77
10+
$36.2
$362
Statut de la pièce
Active
Type de montage
Surface Mount
Type de FET
N-Channel
FET Caractéristique
-
Grade
-
Qualification
-
Courant de Drain Continu (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Tension Drain-Source (Vdss)
650 V
Dissipation de puissance (Max)
156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3mA
Température de fonctionnement
175°C
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)
+25V, -10V
Tension de commande (Rds On max, Rds On min)
18V
Boîtier
8-PowerSFN
Fournisseur Dispositif Emballage
TOLL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2288 pF @ 400 V
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 29A, 18V
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