VS-4C10ET07T-M3
Référence :
VS-4C10ET07T-M3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$3.47
$3.47
10+
$2.25
$22.5
100+
$1.56
$156
500+
$1.26
$630
1000+
$1.17
$1170
2000+
$1.09
$2180
5000+
$1.08
$5400
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
-
Qualification
-
Boîtier
TO-220-2
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Courant - Moyenne redressée (Io)
10A
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.5 V @ 10 A
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
650 V
Courant - Fuite inverse @ Vr
80 µA @ 650 V
电容 @ Vr, F
440pF @ 1V, 1MHz
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