VS-4C10ET07THM3
Référence :
VS-4C10ET07THM3
Catégorie :
-
Fabricant :
Description :
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
PDF :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$5.78
$5.78
10+
$3.84
$38.4
100+
$2.75
$275
500+
$2.28
$1140
1000+
$2.15
$2150
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Boîtier
TO-220-2
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Courant - Moyenne redressée (Io)
10A
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.5 V @ 10 A
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
650 V
Courant - Fuite inverse @ Vr
80 µA @ 650 V
电容 @ Vr, F
440pF @ 1V, 1MHz
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