VS-4C30EP07L-M3
VS-4C30EP07L-M3
VS-4C30EP07L-M3
Référence :
VS-4C30EP07L-M3
Catégorie :
-
Description :
RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
Boîtier :
Conditionnement :
Tube
Quantité :
0
Statut RoHS :
Pris en charge
Partager :
Stock
Quantité min. : 1
Qté
Prix
Total
1+
$7.05
$7.05
10+
$4.74
$47.4
100+
$3.43
$343
500+
$2.87
$1435
1000+
$2.81
$2810
Type de montage
Through Hole
Statut de la pièce
Active
Grade
-
Qualification
-
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Boîtier
TO-247-2
Fournisseur Dispositif Emballage
TO-247AD
Courant - Moyenne redressée (Io)
30A
Tension directe (Vf) (Max) @ If
1.5 V @ 30 A
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Vitesse
No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
0 ns
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)
650 V
Courant - Fuite inverse @ Vr
200 µA @ 650 V
电容 @ Vr, F
1315pF @ 1V, 1MHz
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