2301H
部品番号：
2301H
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Goford Semiconductor
説明：
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
4351
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$0.29
$0.29
10
$0.17
$1.7
100
$0.11
$11
500
$0.08
$40
1000
$0.07
$70
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
FETタイプ
P-Channel
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
4.5 nC @ 2.5 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
366 pF @ 15 V
最大消費電力
890mW (Tc)
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