テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
42 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 20A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2960 pF @ 20 V