BSS123
部品番号：
BSS123
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
説明：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
37246
RoHS状態：
NO
PDF：
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$0.14
$0.14
10
$0.09
$0.9
100
$0.05
$5
500
$0.04
$20
1000
$0.03
$30
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
動作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
最大消費電力
350mW (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
1.8 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
14 pF @ 50 V
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