CGD65A055SH2
部品番号：
CGD65A055SH2
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Cambridge GaN Devices
説明：
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
4720
RoHS状態：
NO
PDF：
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$13.86
$13.86
10
$9.66
$96.6
100
$8.38
$838
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大消費電力
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
12V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
27A
Vgs（最大）
+20V, -1V
サプライヤーデバイスパッケージ
16-DFN (8x8)
パッケージ / ケース
16-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 2.2A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 10mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
4 nC @ 12 V
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