EPC2001C
部品番号：
EPC2001C
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
EPC
説明：
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
56638
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$6.58
$6.58
10
$4.4
$44
100
$3.17
$317
500
$3.13
$1565
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
部品ステータス
Not For New Designs
最大消費電力
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
9 nC @ 5 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
36A (Ta)
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
Vgs（最大）
+6V, -4V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
900 pF @ 50 V
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