EPC2012
部品番号：
EPC2012
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
EPC
説明：
GANFET N-CH 200V 3A DIE
カプセル化
Tape & Reel (TR)
包装：
数量：
1600
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 0
数量
価格
合計価格
部品ステータス
Discontinued at
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-40°C ~ 125°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
200 V
最大消費電力
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A (Ta)
パッケージ / ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
1.8 nC @ 5 V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs（最大）
+6V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
145 pF @ 100 V
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