テクノロジー
SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If
1.85 V @ 4 A
容量 @ Vr, F
10pF @ 400V, 1MHz
パッケージ / ケース
DO-221AC, SMA Flat Leads
電圧 - DCリバース(Vr)(最大)
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ
DO-221AC (SlimSMA)
電流 - 逆方向リーク電流 @ Vr
0.5 µA @ 520 V