電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
18V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
19 nC @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 500mA, 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
266 pF @ 1.2 kV