テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263 (D2PAK)
パッケージ / ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
36 nC @ 10 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1255 pF @ 25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.13A, 10V