G01N20LE
部品番号：
G01N20LE
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Goford Semiconductor
説明：
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
2418
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$0.58
$0.58
10
$0.36
$3.6
100
$0.23
$23
500
$0.17
$85
1000
$0.15
$150
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
200 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
12 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
最大消費電力
1.5W (Tc)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
580 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
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