テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ / ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
532 pF @ 25 V