G12P03D3
部品番号：
G12P03D3
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Goford Semiconductor
説明：
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
9033
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$0.98
$0.98
10
$0.61
$6.1
100
$0.39
$39
500
$0.3
$150
1000
$0.27
$270
2000
$0.25
$500
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ
P-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
30 V
最大消費電力
30W (Tc)
パッケージ / ケース
8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
24.5 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (3.15x3.05)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1337 pF @ 15 V
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