G65P06D5
部品番号：
G65P06D5
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Goford Semiconductor
説明：
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
2019
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$1.72
$1.72
10
$1.08
$10.8
100
$0.72
$72
500
$0.57
$285
1000
$0.52
$520
2000
$0.5
$1000
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ
P-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
60 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
65A (Tc)
最大消費電力
104W (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
75 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
8-PowerTDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (4.9x5.75)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
6138 pF @ 25 V
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