G6N02L
部品番号:
G6N02L
製品分類:
シングルFET、MOSFET
製造元:
Goford Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装:
数量:
3300
RoHS状態:
NO
共有:
PDF:
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$0.48
$0.48
10
$0.29
$2.9
100
$0.19
$19
500
$0.14
$70
1000
$0.12
$120
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
20 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Vgs(最大)
±12V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.5V, 4.5V
最大消費電力
1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 3A, 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1151 pF @ 15 V
最新製品
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP