GT110N06S
部品番号：
GT110N06S
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Goford Semiconductor
説明：
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
5133
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$1.25
$1.25
10
$0.78
$7.8
100
$0.51
$51
500
$0.4
$200
1000
$0.36
$360
2000
$0.33
$660
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
パッケージ / ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1300 pF @ 25 V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
14A (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
24 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
最大消費電力
3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
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