GT52N10D5
部品番号：
GT52N10D5
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Goford Semiconductor
説明：
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
13359
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$2.52
$2.52
10
$1.61
$16.1
100
$1.1
$110
500
$0.88
$440
1000
$0.85
$850
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
最大消費電力
100W (Tc)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
50 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
8-PowerTDFN
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
71A (Tc)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2870 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (4.9x5.75)
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