GT55N06D5
部品番号：
GT55N06D5
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造元：
Goford Semiconductor
説明：
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
カプセル化
Cut Tape (CT)
包装：
数量：
2895
RoHS状態：
NO
在庫
base.lang_mini : 1
数量
価格
合計価格
1
$1.33
$1.33
10
$0.84
$8.4
100
$0.55
$55
500
$0.43
$215
1000
$0.39
$390
2000
$0.36
$720
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
60 V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
31 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
4.5V, 10V
最大消費電力
69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
パッケージ / ケース
8-PowerTDFN
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1085 pF @ 30 V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (4.9x5.75)
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